销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N62K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.1A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30N6LF6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30N6LF6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB17N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB17N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30N6LF6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: