采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
