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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4.7V@250μA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB55NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：95W
阈值电压：4.7V@250μA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB140NF55T4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：193pF@30V
导通电阻：3.1mΩ@10V，40A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：193pF@30V
导通电阻：3.1mΩ@10V，40A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
功率：110W
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：2.2nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：54nC@10V
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06LT4
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.6nF@25V
类型：1个N沟道
功率：70W
漏源电压：60V
导通电阻：28mΩ@10V，18A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：35A
栅极电荷：31nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
