采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL60P4LLF6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL60P4LLF6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
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功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
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功率：100W
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栅极电荷：56nC@5V
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输入电容：1950pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：STL60P4LLF6
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功率：100W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
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输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL60P4LLF6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：STD60NF55LT4
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
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输入电容：1950pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
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类型：P沟道
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阈值电压：1V@250µA
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类型：P沟道
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功率：100W
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类型：P沟道
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功率：100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：56nC@5V
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输入电容：1950pF@25V
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类型：N沟道
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类型：P沟道
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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