品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL9P3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2615pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: