品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25480F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@400mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15380F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.35V@2.5µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10.5pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1190mΩ@100mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":429,"14+":2029,"15+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25483F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.96nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:198pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25480F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@400mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25404Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€96W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2120pF@10V
连续漏极电流:104A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25480F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@400mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25304W1015T
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:15A€76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25480F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@400mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"99+":225,"MI+":412}
销售单位:个
规格型号(MPN):TPIC1502DW
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.86W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:98pF@14V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25481F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:189pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.959nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:198pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25480F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@400mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25501F3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25402Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€69W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@10V
连续漏极电流:15A€76A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: