品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1880pF@30V
连续漏极电流:45A€100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1880pF@30V
连续漏极电流:45A€100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88537NDT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88539NDT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88539NDT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A€170A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18563Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€116W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: