采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：200pF@6V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
输入电容：674pF@6V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15380F3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.35V@2.5μA
栅极电荷：281pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.5pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.19Ω@100mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
输入电容：190pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.3nC@4.5V
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@8V，500mA
阈值电压：1.1V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
