品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:1V
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:22mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€58W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1398pF@30V
连续漏极电流:6A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8588CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:527pF@30V€436pF@30V
连续漏极电流:2.5A€5A€2A€4A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:10A€51A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6253pF@30V
连续漏极电流:16A€107A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@20V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6904pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2N7002AKCX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8588CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:527pF@30V€436pF@30V
连续漏极电流:2.5A€5A€2A€4A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: