品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2328CX RFG
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2328CX RFG
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:66W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:1.18nF@30V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC390CH C5G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:818pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2328CX RFG
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:1.342nF@15V
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:40W
栅极电荷:25.4nC@10V
连续漏极电流:62A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM070NB04CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:3.125nF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC390CH C5G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:818pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: