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    品牌: Taiwan Semiconductor
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1100+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4224pF@20V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订6个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订6个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:257.3pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB041PW C1G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB041PW C1G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB041PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6120pF@100V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@21.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1454pF@30V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@20V

    连续漏极电流:141A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1443pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM043NB04CZ 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM043NB04CZ 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM043NB04CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4928pF@20V

    连续漏极电流:16A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM025NB04CR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM025NB04CR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM025NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6670pF@20V

    连续漏极电流:24A€157A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM051N04LCP ROG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM051N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2456pF@20V

    连续漏极电流:16A€96A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NB04CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NB04CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5022pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N04LCP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N04LCP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N04LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5509pF@20V

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG 起订11个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2318CX RFG 起订11个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2318CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM210N02CX RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM210N02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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