品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9435CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2323CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1829pF@15V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150P04LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2783pF@20V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3234pF@15V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9435CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: