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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1516pF@75V

    连续漏极电流:64.6A€56.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS70DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS70DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@62.5V

    连续漏极电流:8.5A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:2.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ASPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90N06-6M0P-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90N06-6M0P-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90N06-6M0P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4700pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS70DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS70DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@62.5V

    连续漏极电流:8.5A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3.3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820APBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ494DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ494DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@75V

    连续漏极电流:36.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@75V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@75V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420ATRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420ATRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420ATRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:2.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ALPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF820ALPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF820ALPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1516pF@75V

    连续漏极电流:64.6A€56.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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