品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4153EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:151nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@6V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:8.32mΩ@14A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:93.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4153EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:151nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@6V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:8.32mΩ@14A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: