品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N60EFL-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2274pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:5V
栅极电荷:31nC
包装方式:管件
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N60EFL-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2274pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N60EFL-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2274pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:5V
栅极电荷:31nC
包装方式:管件
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N60EFL-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2274pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: