包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.29W

阈值电压：1V

栅极电荷：19.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：19.9mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：19W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ342ADT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：16.7W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：12.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33.4A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：35W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR516DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

栅极电荷：23.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：63.7A

类型：MOSFET

导通电阻：9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFU9220-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：42W

阈值电压：4V

栅极电荷：20nC

连续漏极电流：3.6A

类型：MOSFET

导通电阻：1.5Ω

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1