销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1031pF@20V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：20mΩ@7.5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：63nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3860pF@10V

连续漏极电流：35A

类型：P沟道

导通电阻：9mΩ@12A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHF10N40D-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：5V@250µA

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：管件

输入电容：526pF@100V

连续漏极电流：10A

类型：N沟道

导通电阻：600mΩ@5A，10V

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC@10V

包装方式：管件

输入电容：937pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@6A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：53nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1093pF@100V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：350mΩ@7.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：53nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1093pF@100V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：350mΩ@7.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1031pF@20V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：20mΩ@7.5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS462EN-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：470pF@25V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@4.3A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：22.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1031pF@20V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：20mΩ@7.5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：70nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1224pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@6A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：54nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1128pF@100V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：350mΩ@6.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1031pF@20V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：20mΩ@7.5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：63nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3860pF@10V

连续漏极电流：35A

类型：P沟道

导通电阻：9mΩ@12A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC@10V

包装方式：管件

输入电容：937pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@6A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：70nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1224pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@6A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：63nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3860pF@10V

连续漏极电流：35A

类型：P沟道

导通电阻：9mΩ@12A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS462EN-T1_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：470pF@25V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@4.3A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：22.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1031pF@20V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：20mΩ@7.5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS462EN-T1_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：470pF@25V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@4.3A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS462EN-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：470pF@25V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@4.3A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS840EN-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：22.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1031pF@20V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：20mΩ@7.5A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS462EN-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：470pF@25V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@4.3A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA15N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：54nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1128pF@100V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：350mΩ@6.5A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：33W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：96nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1423pF@100V

连续漏极电流：19A

类型：N沟道

导通电阻：182mΩ@11A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS462EN-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：470pF@25V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@4.3A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1