品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4854pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4854pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
功率:357W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:9620pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
功率:357W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:9620pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
功率:278W
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):480psc
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
输入电容:5.858nF@100V
类型:1个N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:47A
导通电阻:73mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:266nC@10V
功率:500W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: