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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7900AEDN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7900AEDN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7900AEDN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:1.5W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)共漏

    ECCN:EAR99

    导通电阻:26mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:1.5W

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:850mA

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    功率:2.9W

    类型:P-Channel

    连续漏极电流:8.7A

    导通电阻:14mΩ

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:40nC@10V

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:6.4A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH112DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:1.5W

    工作温度:-50℃~150℃

    栅极电荷:27nC@4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:11.3A

    输入电容:2610pF@15V

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3

    连续漏极电流:3.4A

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7949DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7949DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7949DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:3.2A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7106DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3

    连续漏极电流:12.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:27nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4421DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:8.75mΩ@14A,4.5V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:125nC@4.5V

    阈值电压:800mV@850µA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    功率:1.5W

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:8.7A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:1.5W

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:850mA

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:6.4A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:40nC@10V

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:6.4A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922EEH-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.5W

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V

    连续漏极电流:840mA

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    功率:1.5W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.6A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    功率:1.5W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.6A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH108DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH108DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    栅极电荷:30nC@4.5V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:14A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:21nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    漏源电压:20V

    导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3

    连续漏极电流:11.7A

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:850mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:6.4A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:850mA

    包装清单:商品主体 * 1

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