品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
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功率:5.4W€83W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
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栅极电荷:225nC@10V
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类型:P沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:40A
类型:P沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@10V
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
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栅极电荷:225nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
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导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~150℃
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连续漏极电流:40A
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漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
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规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
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输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
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栅极电荷:225nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
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栅极电荷:150nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
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栅极电荷:225nC@10V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:6110pF@10V
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
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栅极电荷:150nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
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功率:4.8W€57W
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栅极电荷:225nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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