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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1865pF@25V

    导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    漏源电压:75V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350LCPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350LCPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):IRFP350LCPBF

    导通电阻:300mΩ@9.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    输入电容:2200pF@25V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    功率:190W

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS401EN-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS401EN-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS401EN-T1_BE3

    输入电容:1875pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@12A,10V

    栅极电荷:21.2nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA84CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA84CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):3000psc

    规格型号(MPN):SQSA84CENW-T1_GE3

    栅极电荷:14.1nC

    包装方式:Reel

    漏源电压:80V

    阈值电压:2V

    功率:27W

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:32mΩ€37mΩ

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA96DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA96DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA96DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1385pF@15V

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    功率:26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1385pF@15V

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:34.7W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1385pF@15V

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:34.7W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:2350pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA96DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA96DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA96DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1385pF@15V

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    功率:26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    栅极电荷:35nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    输入电容:1800pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1385pF@15V

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:34.7W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350LCPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350LCPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP350LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4470EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4470EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4470EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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