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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2336DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
