采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@10V
连续漏极电流：29.7A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.08W€2.97W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：27.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@10V
连续漏极电流：29.7A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.08W€2.97W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：27.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.08W€2.97W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：27.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8425DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@10V
连续漏极电流：29.7A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.08W€2.97W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：27.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@10V
连续漏极电流：29.7A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@10V
连续漏极电流：29.7A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@10V
连续漏极电流：29.7A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@10V
连续漏极电流：29.7A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
