品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
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功率:6.25W€125W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
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栅极电荷:80nC@10V
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类型:N沟道
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漏源电压:100V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
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功率:6.25W€125W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
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功率:6.25W€125W
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栅极电荷:108nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
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功率:6.25W€125W
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连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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栅极电荷:140nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
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功率:6.25W€125W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
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连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
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栅极电荷:80nC@10V
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输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
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栅极电荷:108nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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栅极电荷:108nC@10V
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连续漏极电流:23.2A€95A
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:6.25W€125W
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导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
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输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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栅极电荷:140nC@10V
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输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
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连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
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栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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