品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:650pF@25V€600pF@25V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:27W
连续漏极电流:15A€9.5A
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:27W
导通电阻:92mΩ
连续漏极电流:11A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
功率:375W
ECCN:EAR99
输入电容:10870pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
功率:375W
连续漏极电流:120A
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
输入电容:220pF@25V
导通电阻:95mΩ@4A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:7nC@10V
功率:27W
连续漏极电流:14.7A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
输入电容:220pF@25V
导通电阻:95mΩ@4A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:7nC@10V
功率:27W
连续漏极电流:14.7A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:200pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
栅极电荷:8.7nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3
功率:83W
输入电容:978pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
功率:6.5W€120W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3
导通电阻:30mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:800pF@25V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9530SPBF
输入电容:860pF@25V
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
栅极电荷:38nC@10V
连续漏极电流:12A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3
功率:83W
输入电容:978pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3
功率:83W
输入电容:978pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3
输入电容:5540pF@15V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:-38A
漏源电压:-100V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:144nC@10V
类型:P-Channel
ECCN:EAR99
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9520SPBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
功率:3.7W€60W
连续漏极电流:6.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2400pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:187W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:2832pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:272nC@10V
功率:600W
连续漏极电流:296A
输入电容:15945pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
输入电容:220pF@25V
导通电阻:95mΩ@4A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:11.3A
功率:27W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
输入电容:2286pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:51nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:11mΩ@10.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3
导通电阻:30mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:800pF@25V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
输入电容:7000pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:190nC@10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3
栅极电荷:100nC@10V
功率:166W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3
导通电阻:30mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:800pF@25V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9520PBF
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:6.8A
功率:60W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9510PBF-BE3
连续漏极电流:4A
输入电容:200pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.7nC@10V
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:187W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:2832pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRL510PBF-BE3
栅极电荷:6.1nC@5V
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,5V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
连续漏极电流:5.6A
输入电容:250pF@25V
功率:43W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: