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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 4V @ 250µA
    类型: N 通道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFR220TRL-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:14 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:800 毫欧 @ 2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:63 nC @ 10 V

    输入电容:1300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:850 毫欧 @ 4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB11N50APBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB11N50APBF-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:170W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:52 nC @ 10 V

    输入电容:1423 pF @ 25 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:520 毫欧 @ 6.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    连续漏极电流:1.7A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:240 毫欧 @ 2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840PBF-BE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:63 nC @ 10 V

    输入电容:1300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:850 毫欧 @ 4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:74W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:700 pF @ 25 V

    连续漏极电流:5.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),19W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:13.5 nC @ 10 V

    输入电容:540 pF @ 30 V

    连续漏极电流:10A(Ta),12A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFR220TRL-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:14 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:800 毫欧 @ 2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:74W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:700 pF @ 25 V

    连续漏极电流:5.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:74W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:700 pF @ 25 V

    连续漏极电流:5.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR220TRL-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFR220TRL-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:14 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:800 毫欧 @ 2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:74W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:700 pF @ 25 V

    连续漏极电流:5.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1 欧姆 @ 3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),19W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:13.5 nC @ 10 V

    输入电容:540 pF @ 30 V

    连续漏极电流:10A(Ta),12A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7820DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:240 毫欧 @ 2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EF-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EF-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EF-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:122 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:2774 pF @ 100 V

    连续漏极电流:24A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:156 毫欧 @ 12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60N10-17-E3 起订数1600个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60N10-17-E3 起订数1600个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.75W(Ta),150W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    输入电容:4300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:16.5 毫欧 @ 30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434DP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434DP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    连续漏极电流:2.3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:155 毫欧 @ 3.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订数1个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD220PBF 起订数1个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:14 nC @ 10 V

    输入电容:260 pF @ 25 V

    连续漏极电流:800mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:800 毫欧 @ 480mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    连续漏极电流:2.1A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:155 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    连续漏极电流:2.1A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:155 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 10 V

    连续漏极电流:2.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:135 毫欧 @ 3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:8.2 nC @ 10 V

    输入电容:140 pF @ 25 V

    连续漏极电流:960mA(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.5 欧姆 @ 580mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740APBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740APBF-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:36 nC @ 10 V

    输入电容:1030 pF @ 25 V

    连续漏极电流:10A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:550 毫欧 @ 6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:8.3 nC @ 10 V

    输入电容:180 pF @ 25 V

    连续漏极电流:1.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:540 毫欧 @ 900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N80E-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N80E-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:78W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:827 pF @ 100 V

    连续漏极电流:5.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:940 毫欧 @ 3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数525个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数525个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    连续漏极电流:2.3A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:155 毫欧 @ 3.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:8.3 nC @ 10 V

    输入电容:180 pF @ 25 V

    连续漏极电流:1.5A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:540 毫欧 @ 900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:78W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:40 nC @ 10 V

    输入电容:680 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110PBF-BE3 起订数2025个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110PBF-BE3 起订数2025个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),25W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:8.3 nC @ 10 V

    输入电容:180 pF @ 25 V

    连续漏极电流:4.3A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:540 毫欧 @ 2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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