品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:9.95nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.5V@250μA
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
类型:1个P沟道
输入电容:9.95nF@25V
功率:71W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:3.007nF@20V
连续漏极电流:16.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ@10V,10.2A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: