采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：210nC@10V
输入电容：9.95nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：210nC@10V
连续漏极电流：50A
阈值电压：2.5V@250μA
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
类型：1个P沟道
输入电容：9.95nF@25V
功率：71W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：340pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.3A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：340pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.3A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3.007nF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10V，10.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：420pF@20V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2332
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.3A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2332
规格型号(MPN)：SI2318CDS-T1-GE3
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
导通电阻：42mΩ@10V，4.3A
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.6A
输入电容：340pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
