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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 2.5V@250μA
    漏源电压: 40V
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:210nC@10V

    输入电容:9.95nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:210nC@10V

    连续漏极电流:50A

    阈值电压:2.5V@250μA

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    类型:1个P沟道

    输入电容:9.95nF@25V

    功率:71W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:192W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:141nC@10V

    输入电容:7.458nF@25V

    连续漏极电流:101A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:192W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:141nC@10V

    输入电容:7.458nF@25V

    连续漏极电流:101A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:192W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:141nC@10V

    输入电容:7.458nF@25V

    连续漏极电流:101A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:192W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:141nC@10V

    输入电容:7.458nF@25V

    连续漏极电流:101A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:4nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:4nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:4nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订2400个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订2400个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6L_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:75nC@10V

    输入电容:4nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:420pF@20V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:94mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS141ELNW-T1_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:192W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:141nC@10V

    输入电容:7.458nF@25V

    连续漏极电流:101A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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