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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4914BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.4A€8A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4914BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.4A€8A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
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功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4914BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.4A€8A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7972DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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