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    品牌: VISHAY
    栅极电荷: 40nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1666pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS434DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@16.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR124DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR124DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1666pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19P06-60-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€38.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19P06-60-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€38.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS434DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@16.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19P06-60-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19P06-60-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€38.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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