品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:30 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825 pF @ 10 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:24 毫欧 @ 7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.4W(Ta),17.9W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 8 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300 pF @ 10 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
输入电容:1300 pF @ 10 V
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:30 nC @ 5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.77W(Ta),13W(Tc)
漏源电压:20V
阈值电压:1.3V @ 250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A(Tc)
导通电阻:32 毫欧 @ 1.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: