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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:326nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11100pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:21.8A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2392ADS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2392ADS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2392ADS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2392ADS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:2.2A€3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA416DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA416DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@50V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:83mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP85N10-10-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP85N10-10-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€250W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6550pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:326nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11100pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:326nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11100pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:802pF@50V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA416DJ-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA416DJ-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@50V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:83mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P10-43L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P10-43L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P10-43L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:8.3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:37.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@9.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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