销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-E3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：28A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：28A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：611pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：29mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

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输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

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类型：P沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19.5nC@10V

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连续漏极电流：28A

类型：N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

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规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

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输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

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规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

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功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：802pF@50V

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类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

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输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：611pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：29mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

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输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-E3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

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包装方式：卷带（TR）

输入电容：802pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：23.5mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：19.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：550pF@50V

连续漏极电流：28A

类型：N沟道

导通电阻：33mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21.5nC@10V

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输入电容：611pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：29mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7113DN-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：55nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1480pF@50V

连续漏极电流：13.2A

类型：P沟道

导通电阻：134mΩ@4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS892DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€52W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：611pF@50V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：29mΩ@10A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1