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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 60V
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:60+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.5V@250μA

    输入电容:4.586nF@30V

    栅极电荷:108nC@10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    连续漏极电流:52A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.586nF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.586nF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:5.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9024PBF 起订数2025个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9024PBF 起订数2025个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:280mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9024PBF 起订数75个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9024PBF 起订数75个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:280mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9024PBF 起订数150个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9024PBF 起订数150个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:280mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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