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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
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输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
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输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
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输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
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栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
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连续漏极电流：75A
类型：P沟道
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
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功率：83W
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栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
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功率：83W
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栅极电荷：130nC@10V
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输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
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功率：83W
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栅极电荷：130nC@10V
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输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：83W
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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功率：83W
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ECCN：EAR99
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输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：4877pF@15V
ECCN：EAR99
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：130nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
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