包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：57W€4.8W

阈值电压：3.8V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：1.666nF@10V

连续漏极电流：15.9A€54.7A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.25mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13nC@10V

输入电容：545pF@40V

连续漏极电流：6.6A€12A

类型：1个N沟道

导通电阻：38mΩ@4A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS128LDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€39W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：30nC@10V

输入电容：1.25nF@40V

连续漏极电流：10.2A€33.7A

类型：1个N沟道

导通电阻：15.6mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJ128LDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：22.3W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25.5A

类型：MOSFET

导通电阻：15.6mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS128LDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€39W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：30nC@10V

输入电容：1.25nF@40V

连续漏极电流：10.2A€33.7A

类型：1个N沟道

导通电阻：15.6mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR586DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：71.4W

阈值电压：4V

栅极电荷：25.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：64.9A

类型：MOSFET

导通电阻：5.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W€3.2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13nC@10V

输入电容：545pF@40V

连续漏极电流：6.7A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@4A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W€3.2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13nC@10V

输入电容：545pF@40V

连续漏极电流：6.7A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@4A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W€3.2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13nC@10V

输入电容：545pF@40V

连续漏极电流：6.7A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@4A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13nC@10V

输入电容：545pF@40V

连续漏极电流：6.6A€12A

类型：1个N沟道

导通电阻：38mΩ@4A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W€3.2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：13nC@10V

输入电容：545pF@40V

连续漏极电流：6.7A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@4A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：57W€4.8W

阈值电压：3.8V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：1.666nF@10V

连续漏极电流：15.9A€54.7A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.25mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS128LDN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€39W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：30nC@10V

输入电容：1.25nF@40V

连续漏极电流：10.2A€33.7A

类型：1个N沟道

导通电阻：15.6mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1