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    品牌: VISHAY
    连续漏极电流: 6A
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7223DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:26.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7223DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:26.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5403DC-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5403DC-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5403DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1340pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5936DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7223DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:26.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5468DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5936DU-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5936DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5468DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7223DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7223DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:26.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5468DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5468DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5468DC-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5468DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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