销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：136W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：105nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6700pF@25V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD40020EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：107W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：165nC@20V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：8800pF@25V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：2.2mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD40020EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：107W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：165nC@20V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：8800pF@25V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：2.2mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：125W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：136W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：105nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6700pF@25V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：165nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9100pF@100V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1