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    品牌: VISHAY
    类型: N沟道
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:1300+
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    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:97nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8130pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-E3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-E3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH410DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH410DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH410DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@10V

    连续漏极电流:22A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH106DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH106DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH106DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8472DB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8472DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012X-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:97nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8130pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA430DJT-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA430DJT-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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