品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: