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    品牌: VISHAY
    类型: 2个P沟道
    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数30个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数30个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350μA

    栅极电荷:52nC@4.5V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,8.9A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350μA

    栅极电荷:52nC@4.5V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,8.9A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:47mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400μA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:21mΩ@4.5V,5.8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4nC@8V

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:790mΩ@1.8V,250mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:47mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ963EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ963EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.14nF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ963EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ963EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.14nF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4nC@8V

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:790mΩ@1.8V,250mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350μA

    栅极电荷:52nC@4.5V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,8.9A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4nC@8V

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:790mΩ@1.8V,250mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:47mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400μA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:21mΩ@4.5V,5.8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:47mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4931DY-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@350μA

    栅极电荷:52nC@4.5V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,8.9A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:21mΩ@4.5V,5.8A

    阈值电压:900mV@400μA

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:2个P沟道

    功率:830mW

    栅极电荷:28nC@4.5V

    连续漏极电流:4.9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:25mΩ@10V,7.1A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个P沟道

    功率:1.1W

    栅极电荷:50nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

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