采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400μA
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
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功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
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阈值电压：900mV@400μA
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
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导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
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功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
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导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
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漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
功率：830mW
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
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