品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3469EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@25μA
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:36mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3469EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@25μA
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:36mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3469EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@25μA
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:36mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:5W
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:5.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: