品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:55mΩ@-19A,-10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:-60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P-Channel
连续漏极电流:-20A
输入电容:1490pF@25V
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
功率:375W
连续漏极电流:120A
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
功率:13.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
栅极电荷:33nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@5A,10V
类型:P沟道
输入电容:1880pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4435EY-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:18mΩ@8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:58nC@10V
连续漏极电流:15A
输入电容:2170pF@15V
功率:6.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA37EP-T1_GE3
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4900pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:9.2mΩ@6A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
类型:P沟道
输入电容:15000pF@25V
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:55A
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:5350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
输入电容:5100pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:155nC@10V
功率:100W
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:210pF@25V
导通电阻:170mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2309ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.5nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
类型:P沟道
功率:2W
输入电容:265pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
功率:5W
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:113nC@10V
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:22A
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
功率:375W
连续漏极电流:120A
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@20V
连续漏极电流:17.3A
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
类型:P沟道
功率:7.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2309ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
连续漏极电流:-1.7A
导通电阻:335mΩ@-1.25A,-10V
漏源电压:-60V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
功率:13.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
栅极电荷:33nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@5A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:1880pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1265pF@15V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:10.8A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: