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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
功率：1.5W
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：8.7A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7421DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：40nC@10V
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：6.4A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
ECCN：EAR99
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
栅极电荷：23nC@4.5V
连续漏极电流：10.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4423DY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@600µA
漏源电压：20V
栅极电荷：175nC@5V
导通电阻：7.5mΩ@14A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4413ADY-T1-E3
连续漏极电流：10.5A
栅极电荷：95nC@5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：125nC@4.5V
阈值电压：800mV@850µA
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848DY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7326DN-T1-GE3
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：13nC@5V
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：8.7A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-GE3
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
功率：1.5W
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：6.4A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
