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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
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功率：1.7W€2.7W
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ECCN：EAR99
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输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
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功率：1.7W€2.7W
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规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
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类型：N沟道
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功率：40W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：7.9A
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功率：40W
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连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
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功率：40W
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栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
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功率：1.7W€2.7W
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栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
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输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
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栅极电荷：18nC@8V
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输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
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输入电容：1300pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
功率：1.7W€2.7W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：7.9A
栅极电荷：18nC@8V
输入电容：666pF@10V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
功率：1.7W€2.7W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：7.9A
栅极电荷：18nC@8V
输入电容：666pF@10V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460DDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：28mΩ@5.1A，4.5V
功率：1.7W€2.7W
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类型：N沟道
连续漏极电流：7.9A
栅极电荷：18nC@8V
输入电容：666pF@10V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFI644GPBF
导通电阻：280mΩ@4.7A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
类型：N沟道
漏源电压：250V
栅极电荷：68nC@10V
连续漏极电流：7.9A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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