品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:19nC@4.5V
连续漏极电流:3.7A
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输入电容:1.02nF@10V
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
功率:750mW
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
连续漏极电流:3.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
连续漏极电流:3.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:20V
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栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
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功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
连续漏极电流:3.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
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阈值电压:850mV@250μA
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导通电阻:31mΩ@4.5V,5A
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连续漏极电流:3.77A
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连续漏极电流:3.77A
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功率:750mW
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