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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W€3.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.33nF@50V
连续漏极电流：24.7A€7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：2.7A€2.3A€4A€4A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：167mΩ@1.5A，10V€251mΩ@2.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
