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    6A
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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~+150℃
    连续漏极电流: 6A
    当前匹配商品:9
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订数75000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订数75000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:18nC@5V

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7120ADN-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:21mΩ@9.5A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:45nC@10V

    类型:1个N沟道

    功率:1.5W

    连续漏极电流:6A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订数75000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订数75000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:18nC@5V

    输入电容:865pF@10V

    功率:1.25W€2.1W

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:31.8mΩ@4.5V,5A

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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